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Photoexcitation of valley-orbit currents in (111)-oriented silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Karch, J. und Tarasenko, S. A. und Ivchenko, E. L. und Kamann, J. und Olbrich, P. und Utz, M. und Kvon, Z. D. und Ganichev, S. D. (2011) Photoexcitation of valley-orbit currents in (111)-oriented silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Phys. Rev. B 83, S. 121312.

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Zusammenfassung

We demonstrate the injection of pure valley-orbit currents in multivalley semiconductors and present the phenomenological theory of this effect. We studied photoinduced transport in (111)-oriented silicon metaloxide-semiconductor field effect transistors at room temperature. By shining circularly polarized light on exact oriented structures with six equivalent valleys, nonzero electron fluxes ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SPP 1459: Graphene
Themenverbund:Nicht ausgewählt
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.83.121312DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/1010.4383Preprint
Klassifikation:
NotationArt
78.40.Fy, 72.40.+w, 73.40.Qv, 78.20.−ePACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:07 Sep 2011 06:29
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 17:56
Dokumenten-ID:22034
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