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Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs MQW

Ganichev, Sergey und Ivchenko, Eougenious und Ketterl, Hermann und Prettl, Wilhelm und Vorobjev, L. (2000) Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs MQW. Applied Physics Letters 77 (20), S. 3146-3148.

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Zusammenfassung

The circular photogalvanic effect (CPGE) has been observed in (100)-oriented p-GaAs/AlGaAs quantum wells at normal incidence of far-infrared radiation. It is shown that monopolar optical spin orientation of free carriers causes an electric current which reverses its direction upon changing from left to right circularly polarized radiation. CPGE at normal incidence and the occurrence of the linear ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:13 November 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1326488DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:16
Dokumenten-ID:2205
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