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Microwave induced patterns in n-GaAs and their photoluminescence imaging

Belkov, Vassilij und Hirschinger, J. und Schowalter, Dieter und Niedernostheide, F. J. und Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm und Mathúna, D. und Novák, V. (2000) Microwave induced patterns in n-GaAs and their photoluminescence imaging. Physical Review B 61 (20), S. 13698-13702.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/prb2000_microwave_patterns.pdf


Zusammenfassung

Using the technique of photoluminescence imaging, self-organized patterns of high-electron density in homogeneous n-GaAs layers under homogeneous microwave irradiation are studied. The structures are shown to be analogous to current filaments in a static electric field. The symmetry of the microwave induced patterns is not constrained by the current feeding electrodes. It is, however, concluded ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.61.13698DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:16
Dokumenten-ID:2206
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