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Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation

Ganichev, Sergey (2003) Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation. In: Svechnikov, Sergey V. und Valakh, Mikhail Y., (eds.) Selected papers on optics and photonics: optical diagnostics of materials and devices for opto-, micro-, and quantum electronics. SPIE proceedings series, 5024. SPIE, Bellingham, Washington, S. 12-23. ISBN 0-8194-4825-7.

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Zusammenfassung

An analysis is made of the ionization of deep impurity centers induced by high-intensity terahertz radiation whose photon energies are tens of times lower than the impurity ionization energy. Under these conditions, ionization can be described as phonon-assisted tunneling in which carrier emission is accompanied by defect tunneling in configuration space and electron tunneling in the electric ...

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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:April 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1117/12.497302DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:28 Nov 2007
Zuletzt geändert:17 Nov 2009 04:10
Dokumenten-ID:2211
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