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Pattern Formation in Semiconductors

Belkov, Vassilij und Hirschinger, J. und Niedernostheide, F. und Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm und Novák, V. (1999) Pattern Formation in Semiconductors. Nature (London) 397 (6718), S. 398.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Nature1999p398_ball_lightning.pdf


Zusammenfassung

In semiconductors, nonlinear generation and recombination processes of free carriers and nonlinear charge transport can give rise to non-equilibrium phase transitions. At low temperatures, the basic nonlinearity is due to the autocatalytic generation of free carriers by impact ionization of shallow impurities. The electric field accelerates free electrons, causing an abrupt increase in free ...

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Februar 1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1038/17040DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:16
Dokumenten-ID:2212
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