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Effect of electron heating and radiation pressure on tunneling across Schottky barrier due to giant near field of FIR radiation

Shul'man, A. und Ganichev, Sergey und Dizhur, E. und Kotel'nikov, I. und Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1999) Effect of electron heating and radiation pressure on tunneling across Schottky barrier due to giant near field of FIR radiation. Physica B 272 (1-4), S. 442-447.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/physicaB1999_Schottky.pdf, http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TVH-3Y4BRT9-4D&_user=616165&_coverDate=12%2F01%2F1999&_alid=673265221&_rdoc=1&_fmt=summary&_orig=search&_cdi=5535&_sort=d&_docanchor=&view=c&_ct=1&_acct=C000032338&_version=1&_urlVersion=0&_userid


Zusammenfassung

The conductance of tunnel junctions formed by n-GaAs and a semitransparent metal electrode on its surface was shown to be changed by normally incident radiation with frequency below the plasma edge of n-GaAs. A spatial redistribution of the electrons due to the radiation pressure and the corresponding change in the shape of the self-consistent Schottky barrier are observed as a photoconductivity ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0921-4526(99)00390-7DOI
Stichwörter / Keywords:Tunneling; Schottky-barrier junctions; Near-"eld enhancement; Hot electrons and LO phonons in GaAs
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:17
Dokumenten-ID:2214
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