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Carrier tunneling in high-frequency electric fields

Ganichev, Sergey und Ziemann, E. und Gleim, T. und Prettl, Wilhelm und Yassievich, Irina und Perel, V. und Wilke, I. und Haller, E. (1998) Carrier tunneling in high-frequency electric fields. Physical Review Letters 80 (11), S. 2409-2412.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/prl1998_tunneling_frequency.pdf, http://prola.aps.org/abstract/PRL/v80/i11/p2409_1


Zusammenfassung

An enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in an alternating field as compared to static fields has been observed. The transition between the quasistatic and the high-frequency regime is determined by the tunneling time. For the case of deep impurities this is the time of redistribution of the defect vibrational system which depends strongly on temperature and the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:16 März 1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.80.2409DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.55.-iPACS
72.20.HtPACS
72.40.+wPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:17
Dokumenten-ID:2224
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