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Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization

Ganichev, Sergey und Ziemann, E. und Yassievich, Irina und Schmalz, K. und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Ashok, S. und Chevallier, J. und Sumino, K. und Sopori, B. L. und Goetz, W., (eds.) Defect and impurity engineered semiconductors II: symposium held [at the 1998 MRS Spring Meeting], April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A. Materials Research Society symposium proceedings, 510. Materials Research Society, Warrendale, Pa., S. 595. ISBN 1-558-99416-5.

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:12 Aug 2009 03:02
Dokumenten-ID:2225
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