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Storage of electrons in shallow donor excited states of GaP:Te

Ganichev, Sergey und Yassievich, Irina und Raab, W. und Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1997) Storage of electrons in shallow donor excited states of GaP:Te. Physical Review B (Rapid Communic.) 55 (15), S. 9243-9246.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB_Rapid1997_impurities_in_GaP.pdf, http://link.aps.org/abstract/PRB/v55/p9243


Zusammenfassung

Tellurium donors in GaP have been ionized by phonon-assisted tunneling in the electric field of pulsed far-infrared laser radiation. In response to the laser pulse a photoconductive signal has been detected with a fast component that follows in time the laser pulse and a slow component that rises after the irradiation has ceased and finally exponentially decays with a strongly ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.55.9243DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.55.EqPACS
72.15.LhPACS
72.20.JvPACS
73.40.GkPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:17
Dokumenten-ID:2228
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