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Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions

Kotel'nikov, I. und Shul'man, A. und Varvanin, N. und Ganichev, Sergey und Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions. JETP Letters 62 (1), S. 53-58.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/JETP_Lett1995p53_Photoresistive_p53_58.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:17
Dokumenten-ID:2240
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