Startseite UR

Direct tunnel ionization of deep impurities in the electric field of far-infrared radiation

Ganichev, Sergey und Diener, J. und Prettl, Wilhelm (1994) Direct tunnel ionization of deep impurities in the electric field of far-infrared radiation. Solid State Communications 92 (11), S. 883-887.

[img]
Vorschau
PDF
Download (292kB)

Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/solid_state_comm1994p883_887DirectTunnel_.pdf


Zusammenfassung

Ionization of semiconductor deep impurity centers has been observed in the far infrared where photon energies are several factors of ten smaller than the binding energy of the impurities. It is shown that the ionization is caused at high intensities by direct tunnel ionization in the electric field of the high power radiation. This optical method allows the investigation of the tunnelling process at electric bias fields well below the threshold of avalanche breakdown.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:Dezember 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:18
Dokumenten-ID:2256
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner