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Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen

Sollinger, M. und Ganichev, Sergey und Kalz, Franz-Peter und Rössler, Ulrich und Prettl, Wilhelm und Ivchenko, Eougenious und Belkov, Vassilij und Neumann, Richard und Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg.

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Zusammenfassung

In Si/Ge Quantentrogstrukturen wurden der lineare und der zirkulare photogalvanische Effekt beobachtet. Beide Effekte treten bei Infrarotbestrahlung von (001)- und (113)-orientierten p-Si/Si1-xGex Quantentrogstrukturen auf. Photogalvanische Effekte setzen Systeme ohne Inversionssymmetrie voraus. In Si/Ge Quantentrögen wird dies durch asymmetrische Strukturierung und Dotierung erzielt. Die ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag)
Datum:2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:39
Dokumenten-ID:2406
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