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Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen

Sollinger, M. and Ganichev, Sergey and Kalz, Franz-Peter and Rössler, Ulrich and Prettl, Wilhelm and Ivchenko, Eougenious and Belkov, Vassilij and Neumann, Richard and Brunner, K. and Abstreiter, Gerhard (2002) Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg.

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Abstract

In Si/Ge Quantentrogstrukturen wurden der lineare und der zirkulare photogalvanische Effekt beobachtet. Beide Effekte treten bei Infrarotbestrahlung von (001)- und (113)-orientierten p-Si/Si1-xGex Quantentrogstrukturen auf. Photogalvanische Effekte setzen Systeme ohne Inversionssymmetrie voraus. In Si/Ge Quantentrögen wird dies durch asymmetrische Strukturierung und Dotierung erzielt. Die ...

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Item type:Conference or workshop item (Speech)
Date:2002
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Professor Ganichev > Group Sergey Ganichev
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Deposited on:05 Oct 2007
Last modified:05 Aug 2009 13:39
Item ID:2406
Owner only: item control page
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