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Zirkularer photogalvanischer Effekt in (Be,Zn,Mn)Se II-VI Halbleiter MBE-Epilayer

Ganichev, Sergey und Sollinger, M. und Prettl, Wilhelm und Yakovlev, D. und Grabs, P. und Schmidt, G. und Molenkamp, L. und Ivchenko, Eougenious (2001) Zirkularer photogalvanischer Effekt in (Be,Zn,Mn)Se II-VI Halbleiter MBE-Epilayer. In: Frühjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 26. - 30. März 2001, Hamburg.

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Zusammenfassung

In (001)-orientierten (Be,Zn,Mn)Te II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen wurde der zirkulare photogalvanische Effekt (CPGE) [1] beobachtet. Die Absorption von zirkular polarisierter FIR-Strahlung durch freie Ladungsträger verursacht eine monopolare Spinorientierung, die wiederum zu einer gerichteten Bewegung der Ladungsträger führt. Es ensteht dadurch ein elektrischer Strom dessen Richtung von der ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Poster)
Datum:2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Klassifikation:
NotationArt
Nicht ausgewähltPACS
Nicht ausgewähltPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:39
Dokumenten-ID:2418
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