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Zirkularer photogalvanischer Effekt in (Be,Zn,Mn)Se II-VI Halbleiter MBE-Epilayer

Ganichev, Sergey and Sollinger, M. and Prettl, Wilhelm and Yakovlev, D. and Grabs, P. and Schmidt, G. and Molenkamp, L. and Ivchenko, Eougenious (2001) Zirkularer photogalvanischer Effekt in (Be,Zn,Mn)Se II-VI Halbleiter MBE-Epilayer. In: Frühjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 26. - 30. März 2001, Hamburg.

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Abstract

In (001)-orientierten (Be,Zn,Mn)Te II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen wurde der zirkulare photogalvanische Effekt (CPGE) [1] beobachtet. Die Absorption von zirkular polarisierter FIR-Strahlung durch freie Ladungsträger verursacht eine monopolare Spinorientierung, die wiederum zu einer gerichteten Bewegung der Ladungsträger führt. Es ensteht dadurch ein elektrischer Strom dessen Richtung von der ...

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Item Type:Conference or Workshop Item (Poster)
Date:2001
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Professor Ganichev > Group Sergey Ganichev
Classification:
NotationType
UNSPECIFIEDPACS
UNSPECIFIEDPACS
Subjects:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Owner: Christoph Drexler
Deposited On:05 Oct 2007
Last Modified:05 Aug 2009 13:39
Item ID:2418
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