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Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization

Ganichev, Sergey und Ziemann, E. und Yassievich, Irina und Perel, V. und Prettl, Wilhelm (2000) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization. In: European MRS - IUMRS - ICEM 2000: SYMPOSIUM M: Advanced Characterisation of Semiconductor Materials, 30. Mai – 2. Juni 2000, Strasbourg, France.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Datum:2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:12 Aug 2009 03:01
Dokumenten-ID:2428
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