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Carbon doped InAlAs/InGaAs/InAs heterostructures: Tuning from n- to p-doping

Hirmer, Marika und Schuh, Dieter und Wegscheider, Werner (2011) Carbon doped InAlAs/InGaAs/InAs heterostructures: Tuning from n- to p-doping. Applied Physics Letters 98, 082103.

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Zusammenfassung

We fabricated carbondopedInAs/InxGa1−xAs/InxAl1−xAsheterostructures, which show p-type and n-type conductivity for different In contents. Two-dimensional hole gas in a structure with x=0.75 has been prepared in the ternary compound, despite the fact that carbon as an n-type dopant in InAs exhibits electron conductivity in InxGa1−xAs and InxAl1−xAs compounds with high indium content. A special ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3557026DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.Kp PACS
Stichwörter / Keywords:aluminium compounds, carbon, electrical conductivity, electron density, gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, semiconductor growth, semiconductor heterojunctions, two-dimensional hole gas
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:14 Mai 2012 08:53
Zuletzt geändert:27 Okt 2016 10:06
Dokumenten-ID:24325
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