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Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen

Hirschinger, J. and Schowalter, Dieter and Belkov, Vassilij and Novak, V. and Niedernostheide, F.-J. and Ganichev, Sergey and Prettl, Wilhelm (1999) Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1999, Münster.

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Abstract

In gering dotierten Halbleiterschichten kann bei elektrischen Feldern von wenigen V/cm ein Nichtgleichgewichtsphasenübergang von einem niedrigleitenden in einen hochleitenden Zustand beobachtet werden. Bei Beschaltung mit elektrischen Gleichfeldern ist dieser Übergang mit der Ausbildung von Stromfilamenten verbunden. Erstmals wurde auch ohne elektrische Kontakte, im elektrischen Wechselfeld von ...

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Item Type:Conference or Workshop Item (Speech)
Date:1999
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Professor Ganichev > Group Sergey Ganichev
Subjects:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Owner: Christoph Drexler
Deposited On:05 Oct 2007
Last Modified:05 Aug 2009 13:39
Item ID:2439
Owner Only: item control page
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