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Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen

Hirschinger, J. und Schowalter, Dieter und Belkov, Vassilij und Novak, V. und Niedernostheide, F.-J. und Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1999) Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1999, Münster.

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Zusammenfassung

In gering dotierten Halbleiterschichten kann bei elektrischen Feldern von wenigen V/cm ein Nichtgleichgewichtsphasenübergang von einem niedrigleitenden in einen hochleitenden Zustand beobachtet werden. Bei Beschaltung mit elektrischen Gleichfeldern ist dieser Übergang mit der Ausbildung von Stromfilamenten verbunden. Erstmals wurde auch ohne elektrische Kontakte, im elektrischen Wechselfeld von ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag)
Datum:1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:39
Dokumenten-ID:2439
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