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Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions

Shul'man, A. und Kotel'nikov, I. und Ganichev, Sergey und Dizhur, E. und Ormont, A. und Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1998) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 02. - 07. August 1998, Jerusalem, Israel.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:12 Nov 2009 04:10
Dokumenten-ID:2443
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