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Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization

Ziemann, E. und Ganichev, Sergey und Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Defect and impurity engineered semiconductors II: MRS Spring Meeting, 13. - 17. April 1998, San-Francisco, California, USA.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:17 Nov 2009 04:08
Dokumenten-ID:2444
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