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Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode

Shul'man, A. und Kotel'nikov, I. und Ganichev, Sergey und Ormont, A. und Varvanin, N. und Prettl, Wilhelm (1997) Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode. In: 3rd Russian conference on semiconductor physics "Semiconductors-97", 01. - 05. Dezember 1997, Moskau, Russland.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:39
Dokumenten-ID:2450
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