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Long-living shallow donor excited states of GaP:Te

Ganichev, Sergey und Yassievich, Irina und Raab, W. und Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1997) Long-living shallow donor excited states of GaP:Te. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1997, Münster.

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Zusammenfassung

Long-living shallow donor excited states in semiconductors existing forseveral miliseconds have been observed. Te-donors in GaP have been ionized by means of phonon assisted tunneling in the electric field of pulsed far-infrared laser radiation. The measurements have been carried out in the temperature range of 20-90 K using radiation of wavelength between 35 and 280 mm and intensities up to 1 ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag)
Datum:1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:39
Dokumenten-ID:2455
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