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Theory of spin relaxation in two-electron laterally coupled Si/SiGe quantum dots

Raith, Martin und Stano, Peter und Fabian, Jaroslav (2012) Theory of spin relaxation in two-electron laterally coupled Si/SiGe quantum dots. Physical Review B (PRB) 86 (20), S. 205321.

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Zusammenfassung

Highly accurate numerical results of phonon-induced two-electron spin relaxation in silicon double quantum dots are presented. The relaxation, enabled by spin-orbit coupling and the nuclei of 29Si (natural or purified abundance), is investigated for experimentally relevant parameters, the interdot coupling, the magnetic field magnitude and orientation, and the detuning. We calculate relaxation ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:28 November 2012
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer:
WertTyp
arXiv:1206.6906arXiv-ID
10.1103/PhysRevB.86.205321DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/1206.6906Preprint
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.205321Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.25.Rb, 03.67.Lx, 71.70.Ej, 73.21.La PACS
Stichwörter / Keywords:quantum dots, silicon, spin relaxation, singlet, triplet
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:02 Jul 2012 12:53
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 19:30
Dokumenten-ID:25248
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