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Helicity sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors

Drexler, Christoph und Dyakonova, Nina und Olbrich, Peter und Karch, Johannes und Schafberger, Michael und Karpierz, K und Mityagin, Yu und Lifshits, M.B. und Teppe, F und Klimenko, O und Meziani, Y.M. und Knap, W. und Ganichev, Sergey (2012) Helicity sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors. Journal of Applied Physics 111 (12), S. 124504.

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Zusammenfassung

Terahertz light helicity sensitive photoresponse in GaAs/AlGaAs high electron mobility transistors. The helicity dependent detection mechanism is interpreted as an interference of plasma oscillations in the channel of the field-effect-transistors (generalized Dyakonov-Shur model). The observed helicity dependent photoresponse is by several orders of magnitude higher than any earlier reported one. ...

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    Drexler, Christoph und Dyakonova, Nina und Olbrich, Peter und Karch, Johannes und Schafberger, Michael und Karpierz, K und Mityagin, Yu und Lifshits, M.B. und Teppe, F und Klimenko, O und Meziani, Y.M. und Knap, W. und Ganichev, Sergey (2012) Helicity sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors. Journal of Applied Physics 111 (12), S. 124504. [Gegenwärtig angezeigt]
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Dokumentenart:Artikel
Datum:20 Juni 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4729043DOI
Klassifikation:
NotationArt
85.30.TvPACS
07.57.PtPACS
Stichwörter / Keywords:aluminium compounds, gallium arsenide, high electron mobility transistors, III-V semiconductors, terahertz wave detectors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:09 Jul 2012 14:43
Zuletzt geändert:24 Okt 2016 13:23
Dokumenten-ID:25299
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