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Spin-Transistor Action via Tunable Landau-Zener Transitions

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-255002
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.25500
Betthausen, C. ; Dollinger, Tobias ; Saarikoski, Henri ; Kolkovsky, V. ; Karczewski, G. ; Wojtowicz, T. ; Richter, Klaus ; Weiss, Dieter
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jul 2012 08:19


Zusammenfassung

Spin-transistor designs relying on spin-orbit interaction suffer from low signal levels resulting from low spin-injection efficiency and fast spin decay. Here, we present an alternative approach in which spin information is protected by propagating this information adiabatically. We demonstrate the validity of our approach in a cadmium manganese telluride diluted magnetic semiconductor quantum ...

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