Startseite UR

Single dislocation induced strain in GaN

Gmeinwieser, N. und Gottfriedsen, P. und Schwarz, Uli und Wegscheider, Werner und Clos, R. und Krtschil, A. und Krost, A. und Weimar, A. und Brüderl, G. und Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Andere URL zum Volltext: http://jap.aip.org/jap/, http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=JAPIAU000098000011116102000001&idtype=cvips&gifs=yes


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz
Projekte:Nanolux
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:15 Nov 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:40
Dokumenten-ID:2588
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner