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Epitaxie von (Ga,Mn)As

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-258925

Utz, Martin (2012) Epitaxie von (Ga,Mn)As. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Verbesserung der magnetischen Eigenschaften des ferromagnetischen Halbleiters Galliummanganarsenid (GaMnAs), der ein wichtiges Ausgangsmaterial für die Forschung auf dem Gebiet der Spintronik darstellt. Es wird erläutert, wie mit Hilfe der Bandkanten-Absorptionsspektroskopie und einem speziellen Verfahren zur Eichung der Materialflüsse die ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

The focus of this work lies on the enhancement of the magnetic properties of the ferromagnetic semiconductor Gallium manganese arsenide (GaMnAs), which is a basic material for the research in spintronics: It is told, how a high sample reproducibility and a strong control over the growth process can be gained by applying band edge spectroscopy and a special procedure for the material flux ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:9 Oktober 2012
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Werner Wegscheider und Prof. Dr. Dominique Bougeard
Tag der Prüfung:14 September 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Stichwörter / Keywords:GaMnAs, spintronic, Manganese content, Curie temperature, thin layers, ferromagnetic semiconductor, annealing, molecular beam epitaxy
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:09 Okt 2012 08:58
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 19:16
Dokumenten-ID:25892
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