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Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate

Gmeinwieser, N. und Engl, K. und Gottfriedsen, P. und Schwarz, Uli und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner und Miller, S. und Lugauer, H. und Leber, A. und Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys..

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:15 Nov 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:40
Dokumenten-ID:2600
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