Startseite UR

TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures

Ciorga, Mariusz und Schlapps, Markus und Einwanger, Andreas und Geißler, Stefan und Sadowski, J. und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2007) TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures. New J. Phys. 9, S. 351.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Andere URL zum Volltext: http://www.iop.org/EJ/article/1367-2630/9/9/351/njp7_9_351.html


Zusammenfassung

We discuss the results of our experiments on tunnel devices based on (Ga,Mn)As structures. Those include p + -(Ga, Mn)As/n + -GaAs Esaki diodes and laterally defined narrow nanoconstrictions in (Ga,Mn)As epilayers. We found in those structures strong anisotropic magnetoresistance behaviour with features that could be attributed to the novel tunnelling anisotropic magnetoresistance effect. We ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:15 Nov 2007
Zuletzt geändert:27 Jan 2010 04:12
Dokumenten-ID:2621
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner