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Antiferromagnetic coupling across silicon regulated by tunneling currents

Gareev, R. R. und Schmid, M und Vancea, Johann und Back, C. H. und Schreiber, Rainer und Bürgler, D. und Schneider, C. M. und Stromberg, F. und Wende, Heiko (2012) Antiferromagnetic coupling across silicon regulated by tunneling currents. Applied Physics Letters.

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Zusammenfassung

We report on the enhancement of antiferromagnetic coupling in epitaxial Fe/Si/Fe structures by voltage-driven spin-polarized tunneling currents. Using the ballistic electron magnetic microscopy, we established that the hot-electron collector current reflects magnetization alignment and the magnetocurrent exceeds 200% at room temperature. The saturation magnetic field for the collector current ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:10 Januar 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3675872DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.NsPACS
75.50.EePACS
75.60.EjPACS
72.20.HtPACS
72.20.MyPACS
72.25.-bPACS
Stichwörter / Keywords:antiferromagnetic materials, ballistic transport, elemental semiconductors, hot carriers, iron, magnetisation, magnetoresistance, semiconductor-metal boundaries, silicon, spin polarised transport, tunnelling
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:23 Okt 2012 06:32
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 19:19
Dokumenten-ID:26507
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