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Bulk electronic structure of the dilute magnetic semiconductor Ga1−xMnxAs through hard X-ray angle-resolved photoemission

Gray, A.X. und Minar, Jan und Ueda, S. und Stone, P.P. und Yamashita, Y. und Fujii, J. und Braun, J. und Plucinski, L. und Schneider, C.M. und Pannaccione, G. und Ebert, Hubert und Dubon, O.D. und Kobayashi, K. und Fadley, C. S. (2012) Bulk electronic structure of the dilute magnetic semiconductor Ga1−xMnxAs through hard X-ray angle-resolved photoemission. Nature Materials.

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Zusammenfassung

A detailed understanding of the origin of the magnetism in dilute magnetic semiconductors is crucial to their development for applications. Using hard X-ray angle-resolved photoemission (HARPES) at 3.2 keV, we investigate the bulk electronic structure of the prototypical dilute magnetic semiconductor Ga0:97Mn0:03As, and the reference undoped GaAs. The data are compared to theory based on the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:14 Oktober 2012
Institutionen:Nicht ausgewählt
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1038/nmat3450DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:23 Okt 2012 12:44
Zuletzt geändert:23 Okt 2012 12:44
Dokumenten-ID:26550
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