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Spin-Hall transport of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-282354
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.28235
Schliemann, John ; Loss, Daniel
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 22 Mai 2013 13:56


Zusammenfassung

We investigate spin transport of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells in the presence of spin-orbit coupling of the Rashba type due to structure-inversion asymmetry. Similarly to the case of electrons, the longitudinal spin conductivity vanishes, whereas the off-diagonal elements of the spin-conductivity tensor are finite giving rise to an intrinsic spin-Hall effect. For a clean ...

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