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Scanning gate induced effects in nonlinear transport through nanostructures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-310730
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.31073
Gorini, Cosimo ; Weinmann, Dietmar ; Jalabert, Rodolfo A.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Jan 2015 12:53




Zusammenfassung

We investigate the effect of a scanning gate tip on the nonlinear quantum transport properties of nanostructures. Generally, we predict that the symmetry of the current-voltage characteristic in reflection-symmetric samples is broken by a tip-induced rectifying conductance correction. Moreover, in the case of a quantum point contact (QPC), the tip-induced rectification term becomes dominant as ...

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