GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures

Dokumentenart:	Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Open Access Art:	Primärpublikation
Schriftenreihe der Universität Regensburg:	Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Band:	48
Datum:	8 April 2016
Begutachter (Erstgutachter):	Prof. Dr. Dominique Bougeard
Tag der Prüfung:	22 Dezember 2015
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Stichwörter / Keywords:	epitaxy, GaAs, nanowires, magnetic heterostructures
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	33202

Zusammenfassung (Englisch)

The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the ...

Zusammenfassung (Englisch)

The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the same nanowire. On the other hand, we include ferromagnetic materials into GaAs nanowires. To do that, we produce either "core/shell" structures, where the GaAs nanowire is coated with a ferromagnetic "shell" material, or grow ferromagnetic nanoscale segments in GaAs nanowires.

Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase ...

Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase aufweist. Andererseits werden ferromagnetische Materialien in GaAs Nanodrähte eingebracht. Dabei werden GaAs Nanodrähte mit einer Schale aus ferromagnetischen Material überzogen (eine sog. "core/shell"-Struktur), oder ferromagnetische Segmente in GaAs Nanodrähte gewachsen.

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