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Probing Quantum Capacitance in a 3D Topological Insulator

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-337964
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.33796
Kozlov, D. A. ; Bauer, Dominik ; Ziegler, Johannes ; Fischer, Ralf ; Savchenko, M. L. ; Kvon, Z. D. ; Mikhailov, N. N. ; Dvoretsky, S. A. ; Weiss, Dieter
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Mai 2016 07:32



Zusammenfassung

We measure the quantum capacitance and probe thus directly the electronic density of states of the high mobility, Dirac type two-dimensional electron system, which forms on the surface of strained HgTe. Here we show that observed magnetocapacitance oscillations probe-in contrast to magnetotransport-primarily the top surface. Capacitance measurements constitute thus a powerful tool to probe only ...

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