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Phase slip lines in superconducting few-layer NbSe2 crystals

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-405950
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.40595
Paradiso, Nicola ; Strunk, Christoph ; Nguyen, Anh-Tuan ; Kloss, Karl Enzo
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Lizenz: Creative Commons Namensnennung 3.0 de
PDF - Veröffentlichte Version
(2MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Jul 2019 13:04



Zusammenfassung

We show the results of two-terminal and four-terminal transport measurements on few-layer NbSe2 devices at large current bias. In all the samples measured, transport characteristics at high bias are dominated by a series of resistance jumps due to nucleation of phase slip lines, the two dimensional analogue of phase slip centers. In point contact devices the relatively simple and homogeneous ...

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