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Proximity Effects in Bilayer Graphene on Monolayer WSe2: Field-Effect Spin Valley Locking, Spin-Orbit Valve, and Spin Transistor

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-438573
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.43857
Gmitra, Martin ; Fabian, Jaroslav
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PDF - Veröffentlichte Version
(831kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 08 Okt 2020 07:27



Zusammenfassung

Proximity orbital and spin-orbit effects of bilayer graphene on monolayer WSe2 are investigated from first principles. We find that the built-in electric field induces an orbital band gap of about 10 meV in bilayer graphene. Remarkably, the proximity spin-orbit splitting for holes is 2 orders of magnitude—the spin-orbit splitting of the valence band at K is about 2 meV—more than for electrons. ...

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