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Nichtlinearitäten in Halbleitern: Eine erste ab-initio Studie

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-838
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.4576
Deinzer, Gernot
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 18 Jun 2002 14:20



Zusammenfassung (Deutsch)

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit nichtlinearen Effekten in Halbleitern. Dazu wurden im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) und Dichtefunktionalstörungstheorie (DFPT) erstmals alle Entwicklungskoeffizienten der Gesamtenergie in dritter Ordnung sowohl nach einem elektrischen Feld als auch nach atomaren Auslenkungen berechnet. Zu diesem Zweck wird die DFPT auf die dritte Ordnung ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

This thesis treats nonlinear effects in semiconductors. Therefore, all the expansion coefficients of the total energy in third order both in electric fields and atomic displacements are calculated in the framework of density-functional theory (DFT) and density-functional perturbation theory. For this reason, DFPT is extended up to third order and for every coefficient the analytical formula is ...

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