Startseite UR

Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime

Weiss, Dieter und Mosser, V. und Gudmundsson, V. und Gerhardts, R. und Klitzing, Klaus von (1987) Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime. Solid State Communication 62 (2), S. 89-91.

[img]
Vorschau
PDF
Download (279kB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

The current flow at a fixed gate voltage and the floating gate voltage for fixed charge density in a gated GaAs heterostructure have been measured as a function of the magnetic field. The voltage oscillations which reflect the behaviour of the chemical potential have been clearly resolved. The experimental results are explained by a statistical model of inhomogeneities in the carrier concentration implying an effective density of states between the Landau levels.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:1987
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0038-1098(87)91118-5 DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Mai 2009 13:19
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 14:15
Dokumenten-ID:7852
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner