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Fabrication of single crystal GaAs(001) barriers for magnetic tunnel junctions

Kreuzer, S und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2001) Fabrication of single crystal GaAs(001) barriers for magnetic tunnel junctions. Journal of Applied Physics 89, S. 6751.

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Zusammenfassung

A preparation method for magnetic tunnel junctions with single crystal GaAs(001) barriers is demonstrated. The method is based on an epoxy bond and stop etch technique and does not require epitaxial growth of a semiconductor on top of a metal. Stable GaAs tunnel barriers down to 6 nm in thickness were prepared. The I–V measurements show a pronounced nonlinearity. Their variation with ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:25 Mai 2009 13:20
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:57
Dokumenten-ID:7912
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