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Growth of (Ga,Mn)As on GaAs(001) and (311)A in a high-mobility MBE system

Reinwald, M und Wurstbauer, Ursula und Döppe, Matthias und Kipferl, W und Wagenhuber, Klaus und Tranitz, H und Weiss, Dieter und Wegscheider, Werner (2005) Growth of (Ga,Mn)As on GaAs(001) and (311)A in a high-mobility MBE system. Journal of Crystal Growth 278, S. 690.

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Zusammenfassung

We demonstrate the possibility to produce both GaAs/AlGaAs heterostructures with high electron mobilities and (Ga,Mn)As by molecular beam epitaxy (MBE) in the same growth chamber. The (Ga,Mn)As samples have been grown on (0 0 1) and (3 1 1)A GaAs substrates and show state of the art quality. Immediately after (Ga,Mn)As growth, two-dimensional electron systems have been produced which ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:25 Mai 2009 13:21
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:57
Dokumenten-ID:7926
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