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Tuning of structure inversion asymmetry by the delta-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells

Lechner, Vera und Golub, Leonid und Olbrich, Peter und Stachel, Sebastian und Schuh, Dieter und Wegscheider, Werner und Belkov, Vassilij und Ganichev, Sergey (2009) Tuning of structure inversion asymmetry by the delta-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells. Applied Physics Letters 94, 242109-1-242109-3.

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Zusammenfassung

Both structure and bulk inversion asymmetry in modulation-doped (001)-grown GaAs quantum wells were investigated employing the magnetic field induced photogalvanic effect.We demonstrate that the structure inversion asymmetry (SIA) can be accurately tailored by the delta-doping layer position. Symmetrically doped structures exhibit a substantial SIA due to impurity segregation during the growth ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juni 2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3156027DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:29 Jun 2009 11:44
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:47
Dokumenten-ID:8284
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