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Tuning of structure inversion asymmetry by the delta-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells

Lechner, Vera, Golub, Leonid, Olbrich, Peter, Stachel, Sebastian, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner, Belkov, Vassilij und Ganichev, Sergey (2009) Tuning of structure inversion asymmetry by the delta-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells. Applied Physics Letters 94, 242109-1-242109-3.

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Zusammenfassung

Both structure and bulk inversion asymmetry in modulation-doped (001)-grown GaAs quantum wells were investigated employing the magnetic field induced photogalvanic effect.We demonstrate that the structure inversion asymmetry (SIA) can be accurately tailored by the delta-doping layer position. Symmetrically doped structures exhibit a substantial SIA due to impurity segregation during the growth ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juni 2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3156027DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:29 Jun 2009 11:44
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 10:57
Dokumenten-ID:8284
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