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Selectively enhanced inelastic light scattering of electronic excitations in a semiconductor microcavity

Kipp, T. und Rolf, L. und Schüller, Christian und Endler, D. und Heyn, Christian und Heitmann, Detlef (2001) Selectively enhanced inelastic light scattering of electronic excitations in a semiconductor microcavity. Physical Review B (PRB) 63, S. 195304-195307.

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Zusammenfassung

We report a strong selective enhancement of electronic intersubband excitations of a modulation-doped GaAs-Al0.2Ga0.8As quantum well placed inside an AlAs-Al0.4Ga0.6As planar lambda microcavity. By using specific angles for the incident and scattered light, both the exciting laser and the scattered photons can be tuned into resonance with the cavity mode. Since the width of the high-quality ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:10 April 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.63.195304DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.21.-b; 73.20.Mf; 78.30.-j; 78.66.Fd PACS
Stichwörter / Keywords:aluminium compounds, gallium arsenide, III-V semiconductors, microcavity lasers, semiconductor quantum wells, light scattering
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Sep 2009 07:40
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:02
Dokumenten-ID:9569
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