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Tunneling anisotropic spin polarization in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-98175
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.9817
Einwanger, Andreas ; Ciorga, Mariusz ; Wurstbauer, Ulrich ; Schuh, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Weiss, Dieter
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Okt 2009 12:14


Zusammenfassung

We report here on anisotropy of spin polarization obtained in lateral all-semiconductor, all-electrical spin injection devices employing p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode structures as spin aligning contacts, resulting from the dependence of the efficiency of spin tunneling on the orientation of spins with respect to different crystallographic directions. We observed an in-plane anisotropy of 8% ...

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