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Silicon/Germanium Strained-Layer Superlattices

Abstreiter, Gerhard und Eberl, Karl und Friess, E. und Wegscheider, Werner und Zachai, R. (1989) Silicon/Germanium Strained-Layer Superlattices. Advertisement Journal of Crystal Growth 95 (1-4), S. 431-438.

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Zusammenfassung

High quality Si/Ge strained layer superlattices are achieved by low temperature molecular beam epitaxy on Si, SixGe1−x and Ge substrates. Various characterization techniques are used to obtain information on critical thickness, strain distribution, misfit dislocations, interface sharpness and superlattice periodicity. The band structure is strongly influenced by strain and zone folding effects. ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Februar 1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0022-0248(89)90436-3DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 12:54
Zuletzt geändert:26 Okt 2009 12:54
Dokumenten-ID:9976
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