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Improvement of structural properties of Si/Ge superlattices

Eberl, Karl und Friess, H. und Wegscheider, Werner und Menczigar, U. und Abstreiter, Gerhard (1989) Improvement of structural properties of Si/Ge superlattices. Thin Solid Films 183 (1-2), S. 95-103.

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Zusammenfassung

Short-period Si/Ge strained-layer superlattices are grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si(100) and Ge(100) substrates. Low-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy are performed between growth intervals, to obtain structural and compositional information. Raman spectroscopy and transmission electron microscopy are used for ex-situ characterization. Different buffer ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:30 Dezember 1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0040-6090(89)90434-3DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:15
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:18
Dokumenten-ID:9978
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