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Novel relaxation process in strained Si/Ge superlattices grown on Ge (001)

Wegscheider, Werner und Eberl, Karl und Abstreiter, Gerhard und Cerva, H. und Oppolzer, H. (1990) Novel relaxation process in strained Si/Ge superlattices grown on Ge (001). Applied Physics Letters 57 (15), S. 1496-1498.

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Zusammenfassung

A new mode of misfit defect formation has been observed for the first time in high quality Si/Ge strained-layer superlattices grown by molecular beam epitaxy on Ge(001). In order to investigate the transition from coherent to incoherent growth we have studied a set of samples with a varying number of superlattice periods by transmission electron microscopy. High-resolution lattice imaging reveals ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:6 Oktober 1990
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.103375DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:22
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:18
Dokumenten-ID:9980
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