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Group IV element (Si, Ge and α-Sn) superlattices — low temperature MBE

Eberl, Karl und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1991) Group IV element (Si, Ge and α-Sn) superlattices — low temperature MBE. Journal of Crystal Growth 111 (1-4), S. 882-888.

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Zusammenfassung

Si/Ge and Sn/Ge heterostructures and short-period superlattices are grown by a modified molecular beam epitaxy (MBE) technique on Si and Ge substrates. Low energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy are used in order to optimize the growth conditions with respect to interface roughness, segregation and intermixing. Transmission electron micrographs reveal that the interface ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Mai 1991
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0022-0248(91)91101-F DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:37
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:18
Dokumenten-ID:9983
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