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Sharp doping profiles and two-dimensional electron systems in Ge based heterostructures

Wilhelm, J. und Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1992) Sharp doping profiles and two-dimensional electron systems in Ge based heterostructures. Surface Science 267 (1-3), S. 90-93.

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Zusammenfassung

Sharp Sb doping profiles have been achieved in Ge by low temperature molecular beam epitaxy on Ge(001) substrates. The strong tendency of Sb to segregate on the growing Ge surface has been overcome by large substrate temperature modulations during growth. In this way homogeneous doping profiles with a free carrier concentration up to 1.5 × 1020 cm−3 and δ-doped Ge layers with a sheet carrier ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1992
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0039-6028(92)91096-TDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:43
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:18
Dokumenten-ID:9985
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