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Fabrication and properties of epitaxially stabilized Ge / α-Sn heterostructures on Ge(001)

Wegscheider, Werner und Olajos, Janos und Menczigar, U. und Dondl, W. und Abstreiter, Gerhard (1992) Fabrication and properties of epitaxially stabilized Ge / α-Sn heterostructures on Ge(001). Journal of Crystal Growth 123 (1-2), S. 75-94.

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Zusammenfassung

We have investigated the influence of the growth parameters during molecular beam epitaxy on the realizibility of diamond crystal structure Ge / α-Sn alloys and superlattices on Ge(001) substrates. The segregation behaviour of Sn during Ge overgrowth has been studied. We find that for growth temperatures higher than 300°C the incorporation rates are less than 0.005 ML-1. The low-energy electron ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1992
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0022-0248(92)90012-8DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:53
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:19
Dokumenten-ID:9989
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