Startseite UR

Publikationen von Able, Andreas

Eine Stufe nach oben
Exportieren als
[feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Gruppieren nach: Datum | Dokumentenart | Keine Gruppierung
Anzahl der Einträge: 2.

Able, Andreas, Wegscheider, Werner, Engl, Karl und Zweck, Josef (2005) Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Able, Andreas (2005) Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111). Dissertation, Universität Regensburg.

Diese Liste wurde erzeugt am Tue Mar 19 02:41:03 2024 CET.
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner