Einträge von Able, Andreas auf dem Publikationsserver
![]() | Eine Stufe nach oben |
Anzahl der Einträge: 2.
Able, Andreas, Wegscheider, Werner, Engl, Karl und Zweck, Josef
(2005)
Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers.
Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Able, Andreas
(2005)
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111).
Dissertation, Universität Regensburg.
