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Artikel

Tan, P. H., Bougeard, Dominique, Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2005) Depth profile of strain and composition in Si/Ge dot multilayers by microscopic phonon Raman spectroscopy. J. Appl. Phys. 98, S. 113517.

Bormann, I., Brunner, K., Hackenbuchner, S., Riedl, H., Schmult, Stefan, Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (2004) Long relaxation times of holes in Si/SiGe quantum cascade structures with a diagonal intersubband transition. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 21 (2-4), S. 779-782. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Tan, P. H., Bougeard, Dominique, Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Raman scattering of folded acoustic phonons in self-assembled Si/Ge dot superlattices. Appl. Phys. Lett. 84, S. 2632.

Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots. Physica E 21, S. 312. Volltext nicht vorhanden.

Gronwald, W., Brunner, K., Kirchhöfer, R., Nasser, A., Trenner, J., Ganslmeier, B., Riepl, H., Ried, A., Scheiber, J., Elsner, R., Neidig, K. und Kalbitzer, H. (2004) The new AUREMOL program. Automation of protein structure elucidation. Bruker Report 154/155, S. 11-14. Volltext nicht vorhanden.

Belkov, Vassilij, Ganichev, Sergey, Schneider, Petra, Schowalter, D., Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Spin-photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation. Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism 16 (2), S. 415-418.

Bougeard, Dominique, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Intraband photoresponse of SiGe quantum dot/quantum well multilayers. Physica E 16, S. 609. Volltext nicht vorhanden.

Tan, P. H., Brunner, K., Bougeard, Dominique und Abstreiter, Gerhard (2003) Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots. Phys. Rev. B 68, S. 125302.

Belkov, Vassilij, Ganichev, Sergey, Schneider, Petra, Schowalter, D., Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, E., Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Spin-Photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation. Journal of Superconductivity 16 (2), S. 415-418. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, E., Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin-degenerancy in p-SiGe quantum wells demonstrated by spin-photocurrents. Physical Review B 66 (7), S. 75328. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Bormann, I., Brunner, K., Hackenbuchner, S., Zandler, G., Abstreiter, Gerhard, Schmult, Stefan und Wegscheider, Werner (2002) Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures. Applied Physics Letters 80 (13), S. 2260-2262. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Brunner, K., Herbst, M., Bougeard, Dominique, Miesner, C., Asperger, T., Schramm, C. und Abstreiter, Gerhard (2002) Ge quantum dots in Si: self-assembly, stacking and level spectroscopy. Physica E 13, S. 1018. Volltext nicht vorhanden.

Bougeard, Dominique, Brunner, K. und Abstreiter, G. (2002) Novel Si/Ge quantum dot midinfrared photodetector structures with in-plane transport. Inst. Phys. Conf. Ser. 170, S. 589. Volltext nicht vorhanden.

Brunner, K., Kussinger, M., Stetter, M. und Lang, Elmar (1998) A neural network model for the emergence of grating cells. Biological cybernetics 78 (5), S. 389-397. Volltext nicht vorhanden.

Buchkapitel

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin degeneracy in SiGe-based nanostructures. In: Alferov, Zhores I. und Esaki, Leo, (eds.) 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. SPIE proceedings series, 5023. SPIE, Bellingham, Washington, S. 169. ISBN 0-8194-4824-9. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures. In: Alferov, Zhores I. und Esaki, Leo, (eds.) Nanostructures: physics and technology: 10th international symposium, St. Petersburg, Russia, June 17 - 21, 2002; proceedings. SPIE proceedings series, 5023. SPIE, Bellingham, Washington, S. 187-190. ISBN 0-8194-4824-9.

Brunner, K., Kussinger, M., Stetter, M. und Lang, Elmar (1997) A neural network model for cortical grating cells. In: Elsner, Norbert und Wässle, Heinz, (eds.) Proceedings of the 25th Göttingen Neurobiology Conference 1997. Thieme, Stuttgart. Volltext nicht vorhanden.

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Sollinger, M., Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, K., Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2001) Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: MRS Fall Meeting, 26. - 30. November 2001, Boston, Massachusetts, USA. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2001) Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures. In: 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 18. - 22. Juni 2001, St. Petersburg, Russia. Volltext nicht vorhanden.

Bormann, I., Brunner, K., Hackenbuchner, S., Zandler, G., Abstreiter, Gerhard, Schmult, Stefan und Wegscheider, Werner (2000) Advanced Si/SiGe quantum cascade structures: Diagonal subband transitions and Ge-rich structures on relaxed buffers. In: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS26) (invited), 29. Juli - 2. August 2002, Edinburgh, UK. Volltext nicht vorhanden.

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